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Publisher’s Note: “Beryllium doped semi-insulating GaN without surface accumulation for homoepitaxial high power devices” J. Appl. Phys 127, 215703 (2020)

机译：出版商注：“铍掺杂半绝缘GaN，没有表面累积为主页高功率器件”J。苹果。 Phys 127,215703（2020）

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Habib Ahmad; Travis J. Anderson; James C. Gallagher; Evan A. Clinton; Zachary Engel; Christopher M. Matthews; W. Alan Doolittle;
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年度 2020
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