机译:H型n型钝化发射极背面全扩散太阳能电池和通过湿化学蚀刻形成的正面硼选择性发射极的丝网印刷触点
机译:后发射极n型钝化发射极,后完全扩散硅太阳能电池结构
机译:n型钝化发射极后部全扩散背结硅太阳能电池的损耗分析,效率高达21.2%
机译:双面屏幕印刷的n型钝化发射极后部完全扩散后结太阳能电池
机译:扩散后反射层的光谱修改,可提高硅太阳能电池的效率。
机译:使用优化的n型氧化硅正面场层提高后发射极硅太阳能电池的效率
机译:丝网印刷铝合金后结太阳能电池概念应用于超薄(100μm)大面积n型硅晶圆
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用