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【2h】

Vertical termination filled with adequate dielectric for SiC devices in HVDC applications

机译：填充HVDC应用中的SIC器件充足的垂直终端

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T.T.H. Nguyen-Bui; M. Lazar; J. L. Auge; H. Morel; L.V. Phung; A. Aouani; D. Planson;
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年度 2015
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1. Vertical termination filled with adequate dielectric for SiC devices in HVDC applications [J] . Thi Thanh Huyen Nguyen, Mihai Lazar, Jean-Louis Auge, Materials science forum . 2016,第期

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2. Correction to “Trench Termination With SiO₂-Encapsulated Dielectric for Near-Ideal Breakdown Voltage in 4H-SiC Devices” [J] . Wang Hengyu, Wang Jue, Liu Li, IEEE Electron Device Letters . 2019,第2期

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3. Trench Termination With SiO₂-Encapsulated Dielectric for Near-Ideal Breakdown Voltage in 4H-SiC Devices [J] . Hengyu Wang, Jue Wang, Li Liu, Electron Device Letters, IEEE . 2018,第12期

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4. Vertical termination filled with adequate dielectric for SiC devices in HVDC applications [C] . Nguyen-Bui T.T.H., Lazar M., Auge J.L., International Semiconductor Conference . 2015

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5. Performance Limits of 4H-SiC and 2H-GaN Vertical Superjunction (SJ) Devices [D] . Zhou, Xiang. 2018

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7. Vertical Termination Filled with Adequate Dielectric for SiC Devices in HVDC Applications [O] . Thi Thanh Huyen Nguyen, Mihai Lazar, Jean Louis Augé, 2016

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