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机译:由2D WSE2静电可重新配置晶体管启用无掺杂的互补逆变器
Giovanni V. Resta; Yashwanth Balaji; Dennis Lin; Iuliana P. Radu; Francky Catthoor; Pierre-Emmanuel Gaillardon; Giovanni De Micheli;
机译:由二维极性可控晶体管启用的无掺杂互补逻辑门
机译:高性能混合互补逆变器,具有n型Imazno和P型WSE2薄膜晶体管
机译:基于多层WSe2场效应晶体管的无掺杂高增益互补金属氧化物半导体逆变器
机译:通过2D WSe2静电掺杂可重构晶体管实现的无掺杂互补逆变器
机译:2D WSE2对节能隧道晶体管的新型退化掺杂的探索
机译:厚度调制半导体到砷中金属跃迁的无掺杂砷异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:无掺杂的互补WSE2电路VIA VIA VAR DER WALS金属集成
机译:晶体管使能的有源矩阵稀释光源,可发射垂直有机光,包括显示面板和双反向稀释光源,可用于双反向垂直场效应(ds-vfet)晶体管
机译:互补的MOS输出级具有反相器,NAND和NOR门控制晶体管,以使晶体管在数字输出信号的上升/下降时间导通,该数字输出信号在该级的输出端发射
机译:互补金属氧化物半导体缓冲电路逆变器,例如信号处理单元,具有晶体管导电类型的部分,分别连接到电势和控制连接以及晶体管
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