机译:温度变化对碳纳米管场效应晶体管性能的影响-基于混沌振荡器的量子模拟研究
机译:基于碳纳米管场效应晶体管的新型辐射剂量计的性能评估:量子模拟
机译:基于碳纳米管场效应晶体管的新辐射剂量计的性能评估:量子仿真研究
机译:部分解压缩的碳纳米管场效应晶体管的性能评估
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:高效纳米管场效应晶体管(DL-NT-FET)的设计与参数变化评估高性能