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【2h】

Improved Performance of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes With Thin Intermediate Barriers

机译：具有薄的中间屏障IngaN / GaN发光二极管的性能

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作者
Bo-Chun Chen; Chun-Yen Chang; Yi-Keng Fu; Kai-Feng Huang; Yu-Hsuan Lu; Yan-Kuin Su;
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年度 2011
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1. Improved Performance of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes With Thin Intermediate Barriers [J] . Chen B.-C., Chang C.-Y., Fu Y.-K., Photonics Technology Letters, IEEE . 2011,第22期

机译：具有薄的中间势垒的InGaN / GaN发光二极管的改进性能
2. Improved Performance of an InGaN-Based Light-Emitting Diode With a p-GaN-GaN Barrier Junction [J] . Liu Y.-J., Huang C.-C., Chen T.-Y., Quantum Electronics, IEEE Journal of . 2011,第6期

机译：具有p-GaN / n-GaN势垒结的基于InGaN的发光二极管的改进性能
3. Improved current-spreading performance of an InGaN-based light-emitting diode with a clear p-GaN-GaN barrier junction [J] . Yi-Jung Liu, Der-Feng Guo, Kuei-Yi Chu, Displays . 2011,第5期

机译：具有透明p-GaN / n-GaN势垒结的基于InGaN的发光二极管的改进的电流扩展性能
4. Investigation on the performance of multi-quantum barriers in InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes [C] . Yeu-Jent Hu, Jiunn-Chyi Lee, Ya-Fen Wu International conference on smart materials and nanotechnology in engineering . 2009

机译：InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的多量子势垒性能研究
5. InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes grown on Polar, Semi-polar and Non-Polar Orientations. [D] . Mukund, Aadhithya Hosalli. 2014

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6. InGaN/GaN multilayer quantum dots yellow-green light-emitting diode with optimized GaN barriers [O] . Wenbin Lv, Lai Wang, Jiaxing Wang, 2012

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7. Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p- GaN current-spreading layer [O] . Zhang, Z.-H., Tan, S.T., Liu W., 2013

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