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【2h】

Phase-change heterostructure enables ultralow noise and drift for memory operation

机译：相变异质结构使UltraLow噪声能够进行存储器操作

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作者
Keyuan Ding; Jiangjing Wang; Yuxing Zhou; He Tian; Lu Lu; Riccardo Mazzarello; Chunlin Jia; Wei Zhang; Feng Rao; Evan Ma;
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年度 2019
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