机译:Ⅲ-氮化物发光二极管的热垂直:物理来源和观点
机译:半极性III型氮化物发光二极管,效率下降至1 W左右,可忽略不计
机译:使用晶格匹配的InAlN电子阻挡层的III型氮化物可见光发光二极管中的电子溢出和有限的空穴注入导致的效率下降
机译:GaN基发光二极管效率下垂的起源及其解决方案
机译:基于高功率,低下垂III族氮化物的蓝色发光二极管。
机译:使用薄Ti夹层在非晶态石英上直接生长基于III族氮化物纳米线的黄色发光二极管
机译:GaN的发光二极管效率下垂的起源
机译:用于高效空穴注入的GaN发光三极管(LET)和用于评估效率下垂的物理起源