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Design and characterization of a 6–18 GHz GaN on SiC high-power amplifier MMIC for electronic warfare

机译：6-18 GHz GAN在电子战中SIC高功率放大器MMIC的设计与鉴定

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Eduardo Oreja Gigorro; Emilio Delgado Pascual; Juan José Sánchez Martínez; María Luz Gil Heras; Virginia Bueno Fernández; Antonio Bódalo Márquez; Jesús Grajal;
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年度 2019
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1. Design and characterization of a 6-18 GHz GaN on SiC high-power amplifier MMIC for electronic warfare [J] . Oreja Gigorro Eduardo, Delgado Pascual Emilio, Sanchez Martinez Juan Jose, International Journal of Microwave and Wireless Technologies . 2019,第7期

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2. 6‐GHz‐to‐18‐GHz AlGaN/GaN Cascaded Nonuniform Distributed Power Amplifier MMIC Using Load Modulation of Increased Series Gate Capacitance [J] . Dong‐Hwan Shin, In‐Bok Yom, Dong‐Wook Kim ETRI journal . 2017,第5期

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3. Wideband, high-efficiency, high-power GaN amplifiers, using MIC and quasi-MMIC technologies, in the 1-4 GHz range [J] . CHAMSSEDINE BERRACHED, DIANE BOUW, MARC CAMIADE, International Journal of Microwave and Wireless Technologies . 2015,第1期

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4. A 6–18 GHz GaN on SiC High Power Amplifier MMIC for Electronic Warfare [C] . Eduardo Oreja-Gigorro, Emilio Delgado Pascual, Juan José Sánchez-Martínez, European Microwave Integrated Circuits Conference . 2018

机译：用于电子战的SiC大功率放大器MMIC上的6–18 GHz GaN
5. A 3.6 GHz Doherty Power Amplifier with a 40 dBm Saturated Output Power using GaN on SiC HEMT Devices. [D] . Baker, Bryant. 2014

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6. Compact 20-W GaN Internally Matched Power Amplifier for 2.5 GHz to 6 GHz Jammer Systems [O] . Min-Pyo Lee, Seil Kim, Sung-June Hong, 2020

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7. High power/High bandwidth GaN MMICs andudhybrid amplifiers: design and characterization [O] . van Raay F., Quay R., Kiefer R., 2005

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