机译:通过整合抛光时间分析模型和特定倒力能源理论建立硅晶片化学机械抛光磨削深度的理论模型
机译:通过整合抛光时间分析模型和特定倒力能量理论建立硅晶片化学机械抛光深度的理论模型(Vol 95,PG 4671,2018)
机译:十字图案抛光垫化学机械抛光不同浆料浓度下蓝宝石晶片的磨料去除深度研究
机译:用于III-V晶圆键合应用的化学机械抛光:抛光,粗糙度和无磨料抛光模型
机译:用于化学机械抛光的二氧化硅和二氧化铈纳米颗粒混合磨料浆料的胶体稳定性研究。
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:磨料加工和抛光技术。硅晶片的化学机械抛光技术。