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机译:晶界影响硼掺杂多晶硅膜的电学特性
N K Upreti; S Singh;
机译:掺杂剂对金属诱导结晶多晶硅膜晶界电行为的影响
机译:晶界和晶粒对FeS2薄膜电性能的影响
机译:黄铜矿型薄膜的晶界类型及其与膜织构和电学性质的关系
机译:多晶硅晶界电性能的研究
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:KF沉积后处理对Cu(InGa)Se2薄膜晶界性能的影响
机译:La0.8SR0.2MN1-YO3±δ薄膜中的解开散装和晶界电性能
机译:晶界对多晶硅薄膜电性能的影响。进展报告,1980-1981
机译:用透射电子显微镜测微法测量小误差范围内近晶晶粒与晶粒边界性能的结晶学取向关系的装置及揭示晶粒边界性能的方法
机译:低温多晶硅薄膜晶体管有源层和晶粒的晶粒边界扫描电子显微镜图像处理定量统计值验证工艺质量的方法
机译:陶瓷基板,特别是用于太阳能电池的多晶硅沉积的陶瓷基板,具有较大的表面晶粒,并且在其晶界中包含抑制形核的烧结添加剂
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