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【2h】

Comparative Simulation Analysis of Process Parameter Variations in 20 nm Triangular FinFET

机译：20nm三角形FINFET过程参数变化的比较仿真分析

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作者
Satyam Shukla; Sandeep Singh Gill; Navneet Kaur; H. S. Jatana; Varun Nehru;
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年度 2017
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机译：线性工艺参数相关性分析的系统方法，该工艺参数对16 nm HKMG体FinFET器件的电特性产生工艺变化影响
2. Assessment of III-V FinFETs at 20nm Node: A Process Variation Analysis [J] . K.P. Pradhan, D. Singh, S.K. Mohapatra, Procedia Computer Science . 2015,第1期

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3. Assessment of III-V FinFETs at 20nm Node: A Process Variation Analysis [J] . K.P. Pradhan, D. Singh, S.K. Mohapatra, Procedia Computer Science . 2015,第1期

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4. Analysis of influence of temperature on 20nm triangular bulk FinFET [C] . Sarvesh Singh, S. S. Gill, Navneet Kaur IEEE International Conference on Recent Trends In Electronics Information Communication Technology . 2016

机译：温度对20nm三角体FinFET的影响分析
5. Methodologies and Simulation Framework for Architectural Analysis and Power Management of FinFET Chip Multiprocessors. [D] . Lee, Chun-Yi. 2013

机译：FinFET芯片多处理器架构分析和电源管理的方法和仿真框架。
6. Sensitivity Analysis of Selected Parameters in the Order Picking Process Simulation Model with Randomly Generated Orders [O] . Mariusz Kostrzewski 2020

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7. Assessment of III-V FinFETs at 20nm Node: A Process Variation Analysis [O] . Pradhan K.P., Singh D., Mohapatra S.K., 2015

机译：评估20nm节点处的III-V FinFET：工艺差异分析

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