机译:错误:“透明电阻随机存取存储器及其用于非易失性电阻切换的特性”物理。吧。 93,223505(2008)
机译:勘误表:“透明电阻式随机存取存储器及其非易失性电阻开关的特性”物理来吧93,223505(2008)]
机译:出版者的注释:“基于氮化钽的电阻式随机存取存储设备中的双极电阻式开关特性”物理来吧106,203101(2015)]
机译:透明阻性随机存取存储器及其非易失性阻变特性
机译:半透明电阻式随机存取存储器的制作及其非易失性电阻开关的特性
机译:两种非易失性记录介质的计算研究:电阻式随机存取存储器(RRAM)和分级磁介质。
机译:HfO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:出版商注:“钽氮化物电阻随机存取存储器设备的”双极电阻切换特性“Appl。物理。吧。 106,203101(2015)