退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:非易失性铁电畴壁记忆
Pankaj Sharma; Qi Zhang; Daniel Sando; Chi Hou Lei; Yunya Liu; Jiangyu Li; Valanoor Nagarajan; Jan Seidel;
机译:由于人工图案化的铁电畴壁数和非易失性记忆特性导致的电流变化
机译:非易失性铁电畴壁存储器
机译:铁电畴切换对非易失性电荷陷阱存储器的影响
机译:铁电/电极接口:非易失性存储器中PZT电容器的极化切换和可靠性
机译:使低功率电荷域非易失性与铁电FET一起计算
机译:磁畴壁类型的模拟记忆元件,磁畴壁类型的模拟记忆元件,非易失性逻辑电路和磁神经元
机译:磁畴壁型模拟存储元件,磁畴壁型模拟存储,非易失性逻辑电路和磁神经元
机译:基于域墙的模拟存储设备,基于域墙的模拟存储,非易失性逻辑电路和磁神经设备
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。