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Analytical modeling of transport phenomena in heterojunction triple metal gate all around tunneling field effect transistor

机译：隧道田效应晶体管周围异质三相金属门交通现象的分析模型

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Marjana Mahdia; Quazi Deen Mohd Khosru;
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年度 2020
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1. Analytical modeling of transport phenomena in heterojunction triple metal gate all around tunneling field effect transistor [J] . Marjana Mahdia, Quazi Deen Mohd Khosru AIP Advances . 2020,第9期

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2. Analytical Modelling and Simulation of Triple Material Quadruple Gate Tunnel Field Effect Transistors [J] . T.S. Arun Samuel, S. Komalavalli Journal of nano research . 2018,第期

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3. A novel 2-D analytical model for the electrical characteristics of a gate-all-around heterojunction tunnel field-effect transistor including depletion regions [J] . C. Usha, P. Vimala, T. S. Arun Samuel, Journal of Computational Electronics . 2020,第3期

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4. A Compact Analytical Model for 2D Triple Material Surrounding Gate Nanowire Tunnel Field Effect Transistors [C] . D. Saraswathi, N.B. Balamurugan, G. Lakshmi Priya, International Conference on ICA . 2015

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