Doping-less SiC p-i-n Diode: Design and Investigation

机译：掺杂较少的SiC P-I-N二极管：设计和调查

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Sara Hahmady; Stephen Bayne;
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年度 2021
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2. Design and Characterization of Newly Developed 10 kV 2 A SiC p-i-n Diode for Soft-Switching Industrial Power Supply [J] . Bakowski M., Ranstad P., Lim J., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第2期

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