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机译:使用蓝色激光二极管退火(BLDA)金属源和沥水的低温多Si TFT(BLDA)
Kouya Sugihara; Kiyoharu Shimoda; Tatsuya Okada; Takashi Noguchi;
机译:使用蓝激光二极管退火(BLDA)的金属源极和漏极的低温多晶硅TFT
机译:使用BLDA的低成本金属CMOS带有金属S / D电极的多晶硅TFT的p沟道性能表现
机译:具有金属源极和漏极的多晶硅TFT中的肖特基势垒控制的导电
机译:具有附加多晶硅体的块氧化物源/漏极并列多晶硅TFT的制备和表征
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:自对准非晶氧化物TFT中源漏接触的低温形成
机译:源漏金属蚀刻的湿法制备金属氧化物或金属氧氮化物薄膜的方法
机译:使用湿法进行源极/漏极金属蚀刻的金属氧化物或金属氮氧化物TFT的制造方法
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