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【2h】

Effect of the gate structure on the kink phenomenon in of AlGaN/GaN HEMT

机译：栅极结构对AlGan / GaN HEMT XINK现象的影响

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Sinan Osmanoglu; Ekmel Ozbay;
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年度 2021
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1. Phenomenon of Drain Current Instability on p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs [J] . Chang T., Hsiao T., Huang C., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第2期

机译：p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT上的漏极电流不稳定性现象
2. Thermal influence on S_(22) kink behavior of a 0.15 μm gate length AlGaN/GaN/SiC HEMT for microwave applications [J] . Alim Mohammad A., Rezazadeh Ali A., Gaquiere Christophe, Semiconductor science and technology . 2019,第3期

机译：微波长度对0.15μm栅极长度的AlGaN / GaN / SiC HEMT的S_（22）扭折行为的热影响
3. Kink Effect in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Drain and Gate Pumping [J] . Wang M., Chen K. J. Electron Device Letters, IEEE . 2011,第4期

机译：漏极和栅极泵浦引起的AlGaN / GaN HEMT的扭结效应
4. 3D simulation of impact ionization induced kink effect in AlGaN/GaN HEMTs: A novel split channel design with asymmetric double gate for kink suppression [C] . Sharadindu Gopal Kirtania, Muhammad Navid Anjum Aadit, Md. Kawsar Alam International Conference on Electrical Information and Communication Technology . 2017

机译：AlGaN / GaN HEMT中碰撞电离引起的扭结效应的3D模拟：具有不对称双栅极的新型分离沟道设计，可抑制扭结
5. Investigation of normally-off mode AlGaN/GaN MOS HEMT device utilizing gate recession and p-GaN gate structure with ald grown high k gate insulators for high power application. [D] . Ma, Jin Seock. 2016

机译：研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件，该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
6. Effects of Recessed-Gate Structure on AlGaN/GaN-on-SiC MIS-HEMTs with Thin AlOxNy MIS Gate [O] . Hyun-Seop Kim, Myoung-Jin Kang, Jeong Jin Kim, 2020

机译：凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
7. Gateless-FET pH sensor fabricated on undoped AlGaN/GaN HEMT structure HEMT structure [O] . Maneea Eizadi Sharifabad, Mastura Shafinaz Zainal Abidin, Shaharin Fadzli Abd Rahman, 2011

机译：在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的无栅FET pH传感器HEMT结构
8. Self-Aligned ALD AlOx T-gate Insulator for Gate Leakage Current Suppression in SiNx-Passivated AlGaN/GaN HEMTs [R] . 2010

机译：自对准aLD alOx T栅极绝缘体，用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制

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