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机译:钻石蚀刻超过10μm,具有近零的微掩击
Marie-Laure Hicks; Alexander C. Pakpour-Tabrizi; Richard B. Jackman;
机译:钻石蚀刻超过10?μm,带有近零的微阵列
机译:在SF_6和SF_6 / AR等离子体中蚀刻无定形GE-SB-SE薄膜期间的表面组成和微掩除效果
机译:Si(100)上蚀刻诱导刻面的分子机制:微掩膜不是金字塔形纹理化的先决条件
机译:用压印技术和反应离子蚀刻制造近零残留层的纳米级SiC基陶瓷图案
机译:金刚石的劈裂断裂和蚀刻研究。
机译:采用近零微掩膜的金刚石蚀刻超过10μm
机译:实现中红外区域的金刚石环形凹槽相位掩模:金刚石等离子蚀刻成功开发工艺的五年
机译:在低碳有机介电体蚀刻过程中使用碳氢化合物消除微量沉淀
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