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【2h】

Self-consistent physical modeling of set/reset operations in unipolar resistive-switching memories

机译：单极电阻切换存储器中的设置/重置操作的自我一致的物理建模

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Marc Bocquet; Damien Deleruyelle; Christophe Muller; Jean-Michel Portal;
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年度 2011
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1. Self-consistent physical modeling of set/reset operations in unipolar resistive-switching memories [J] . Marc Bocquet, Damien Deleruyelle, Christophe Muller, Applied Physics Letters . 2011,第26期

机译：单极性电阻切换存储器中设置/重置操作的自洽物理建模
2. Modeling of Set/Reset Operations in NiO-Based Resistive-Switching Memory Devices [J] . Cagli C., Nardi F., Ielmini D. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2009,第8期

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3. Reset–Set Instability in Unipolar Resistive-Switching Memory [J] . Ielmini D. Electron Device Letters, IEEE . 2010,第6期

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4. An analytical energy model for the reset transition in unipolar resistive-switching RAMs [C] . M. M. Al Chawa, R. Picos, E. Garcia-Moreno, 2016 18th Mediterranean Electrotechnical Conference . 2016

机译：单极性电阻开关RAM中复位过渡的解析能量模型
5. Control over variability in nonvolatile hafnium-oxide resistive-switching memory based on modeling of the switching processes [D] . Butcher, Brian Jerad. 2013

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6. Qualitative models and experimental investigation of chaotic NOR gates and set/reset flip-flops [O] . Aminur Rahman, Ian Jordan, Denis Blackmore -1

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7. Semiempirical Modeling of Reset Transitions in Unipolar Resistive-Switching Based Memristors [O] . Picos, Rodrigo, Roldan, Juan Bautista, Chawa, Mohamed Moner Al, 2017

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