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【2h】

Minimum-Energy Digital Computing With Steep Subthreshold Swing Tunnel FETs

机译：用陡峭的亚阈值摆动隧道FET的最小能量数字计算

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作者
Daniel S. Truesdell; Sheikh Z. Ahmed; Avik W. Ghosh; Benton H. Calhoun;
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年度 2020
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专利

1. Steep Subthreshold Slope n- and p-Type Tunnel-FET Devices for Low-Power and Energy-Efficient Digital Circuits [J] . Khatami Y., Banerjee K. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2009,第11期

机译：用于低功耗和节能数字电路的陡峭亚阈值斜率n型和p型隧道FET器件
2. Structural advantages of silicon-on-insulator FETs over FinFETs in steep subthreshold-swing operation in ferroelectric-gate FETs [J] . Ota Hiroyuki, Migita Shinji, Hattori Junichi, Japanese journal of applied physics . 2017,第4S期

机译：在铁电栅FET的陡峭亚阈值摆动操作中，绝缘体上硅FET优于FinFET的结构优势
3. Impact of Quantum Confinement on Gate Threshold Voltage and Subthreshold Swings in Double-Gate Tunnel FETs [J] . Padilla J. L., Gamiz F., Godoy A. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第12期

机译：量子限制对双栅极隧道FET中的栅极阈值电压和亚阈值摆幅的影响
4. Steep subthreshold swing analysis of dual metal drain dopingless double gate tunnel FETs based on ge-source with high-k for low power applications [C] . Neeraj Sharma, Sudakar Singh Chauhan International Conference on Computing, Communication and Automation . 2017

机译：基于具有高k的ge源的低功耗双金属漏极无掺杂双栅极隧道FET的陡峭亚阈值摆幅分析
5. Sub-10nm Transistors for Low Power Computing: Tunnel FETs and Negative Capacitance FETs [D] . Sharma, Ankit. 2018

机译：用于低功率计算的低于10nm晶体管：隧道FET和负电容FET
6. Positive non-linear capacitance: the origin of the steep subthreshold-slope in ferroelectric FETs [O] . Md Nur K. Alam, P. Roussel, M. Heyns, -1

机译：正非线性电容：铁电FET中陡峭的亚阈值斜率的起因
7. Heterojunction Vertical Band-to-Band Tunneling Transistors for Steep Subthreshold Swing and High ON Current [O] . Ganapathi, Kartik, Salahuddin, Sayeef 2011

机译：用于陡峭的异质结垂直带间隧道晶体管亚阈值摆幅和高导通电流

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