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【2h】

Design, Optimization and Simulation of III-Nitride Power Heterostructure Field Effect Transistor

机译：III氮化物功率异质结构场效应晶体管的设计，优化和仿真

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作者
Adnan Manasreh;
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年度 2020
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1. III-nitride heterostructure field-effect transistors grown on semi-insulating GaN substrate without regrowth interface charge [J] . J. P. Liu, J.-H. Ryou, D. Yoo, Applied Physicsletters . 2008,第13期

机译：在半绝缘GaN衬底上生长的III型氮化物异质结场效应晶体管，没有再生界面电荷
2. Simulation design of high Baliga's figure of merit normally-off P-GaN gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors with junction field plates [J] . Bai Zhiyuan, Du Jiangfeng, Wang Hao, Superlattices and microstructures . 2018,第NOVa期

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3. Two-dimensional electron gas transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors designed for high-power applications [J] . Narihiko Maeda, Kotaro Tsubaki, Tadashi Saitoh, Optical Materials . 2003,第1a2期

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4. Surface treatment on the growth surface of semi-insulating GaN bulk substrate for III-nitride heterostructure field-effect transistors [C] . J.-H. Ryou, J. P. Liu, Y. Zhang, International Conference of Nitride Semiconductors . 2008

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5. Engineering model of III-nitride power heterostructure field effect transistor on silicon substrate. [D] . Islam, Mohammad Mirwazul. 2016

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6. Design Optimization of Double-Gate Isosceles Trapezoid Tunnel Field-Effect Transistor (DGIT-TFET) [O] . Hwa Young Gu, Sangwan Kim 2019

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7. Digital oxide deposition of SiO2 layers for III-nitride metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors [O] . V. Adivarahan, S. Rai, N. Tipirneni, 2006

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