机译:III-V型化合物半导体中的缺陷结构:氢化物传输汽相外延生长的InGaAs和InGaAsP外延层中缺陷结构的产生和演化
机译:应变四面体半导体材料增益的8波段k.p理论:在1.3 / spl mu / m-InGaAsP激光器上施加额外的外部单轴应力的应用
机译:用于1550 Nm半导体光放大器的拉伸应变Ingaasp的载流子引起的折射率变化的理论计算
机译:单轴应变pMOSFET空穴传输的实验和理论分析
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓(半导体,蒙特卡罗,碰撞电离)中电子和空穴的高能输运的理论研究。
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:用于1550 nm半导体光放大器的拉伸应变InGaAsP中载流子诱导的折射率变化的理论计算
机译:应变III-V半导体中空穴传输的理论研究:在Gaas中的应用