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【2h】

EFFECT OF FAST-MOVING ELECTRONS ON THE PROPERTIES OF THE EPITAXIAL LAYERS OF SILICON AND THE PARAMETERS OF PHOTORESISTORS BASED ON THEM

机译：快速移动电子对硅外延层性质的影响及基于对光的光致抗蚀剂参数

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V. A. Mokritsky; Ya. I. Lepikh; E. M. Kuritsyn; O. V. Banzak;
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年度 2008
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