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机译:沉积后退火温度对GZO / Al薄膜性能的影响
Sun-Kyung Kim; Seung-Hong Kim; So-Young Kim; Jae-Hyun Jeon; Tae-Kyung Gong; DaeYoung Yoon; DongYong Choi; Dong-Hyuk Choi; Dong-Il Son; Daeil Kim;
机译:后退火温度对ITO,IZO和GZO薄膜表现出的性能的影响
机译:SNO_2 / TI / GZO多层薄膜的光电性能在光电传感器应用中的不同温度下的退火后
机译:不同退火温度下Ti掺杂GZO薄膜的光电性能
机译:退火时间对直流磁控溅射制造的GZO薄膜性能的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:沉积后退火温度和时间对金属有机分解镧铈氧化物薄膜物理性能的影响。
机译:利用NH 3 Sub>氮化和沉积后快速热退火制备具有改善的介电性能的超薄二氧化硅栅极的方法
机译:使用NH3氮化和沉积后快速热退火制备具有改善的介电性能的超薄二氧化硅栅极的方法
机译:一种制造白色薄膜的方法,该薄膜可通过控制其制造过程中的延伸温度,延伸比例和热退火温度来获得具有均匀特性的薄膜
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