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【2h】

Radiation damage of amorphous silicon, thin-film, field-effect transistors

机译：非晶硅，薄膜，场效应晶体管的辐射损伤

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作者
J. M. Boudry; L. E. Antonuk;
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年度 1996
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1. A New Gate Dielectric for Highly Stable Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors With $sim!! hbox{1.5-cm}^{2}/hbox{V} cdot hbox{s}$ Electron Field-Effect Mobility [J] . Lin Han, Mandlik P., Wagner S. Electron Device Letters, IEEE . 2009,第5期

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2. Amorphous silicon thin-film transistors with field-effect mobilities of 2 cm~2/V s for electrons and 0.1 cm~2/V s for holes [J] . Lin Han, Prashant Mandlik, Kunigunde H. Cherenack, Applied Physicsletters . 2009,第16期

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