机译:晕轮掺杂对超低功耗模拟/混合信号应用中深亚微米CMOS器件和电路的亚阈值性能的影响
机译:横向非对称沟道掺杂对深亚微米混合信号器件和电路性能的影响
机译:器件架构对负电容MFMIS晶体管性能的影响
机译:掺钛的GaZnO / InGaZnO /掺钛的GaZnO夹心复合结构提高透明薄膜晶体管的器件性能
机译:延伸横向掺杂突变对深亚微米器件性能的影响。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:横向非对称沟道掺杂对深亚微米混合信号器件和电路性能的影响
机译:al sub x Ga sub 1-x作为缓冲层对调制掺杂场效应晶体管性能的影响