机译:高频电容电压技术提取异质结电容器的界面陷阱密度:Terman方法修订
机译:使用MOS电容器上的常规电容电压测量来估算低至1.4 nm的隧道氧化物的氧化物厚度
机译:MOS电容器C-V曲线频散的氧化物阱等效分布电容模型
机译:超越电解电容器:具有大电容密度的高频片上微型超级电容器
机译:高能量/电容密度的聚偏氟乙烯聚合物,用于储能电容器应用。
机译:注:表面缺陷小对球形电容器的Smoluchowski速率常数和电容的影响
机译:使用多频电容 - 电导技术表征剥离的mos2 FET中的固有亚隙隙态密度
机译:估算mOs氧化物阱,界面陷阱和边界陷阱密度的简单方法