机译:1.5μm晶格匹配的InGaNAs / GaAs和InGaAs / InP量子阱激光器的小信号调制特性
机译:调制掺杂对II型GaAsSb / GaAs量子阱激光器的线宽增强因子的影响
机译:基于InGaAsN / GaAs材料系统的量子阱结构线宽增强因子分析
机译:晶格匹配的1.5微米InGaAsN / GaAs量子阱激光器的线宽增强因子和调制带宽
机译:砷化镓和砷化铟镓广域量子阱激光器中增益,折射率和线宽增强因子的外延结构依赖性。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:单量子阱GaAs / AlGaAs激光器中的调制带宽增强