机译:使用MBE在GaAs基板上在GaAs衬底上生长的变质疼痛缓冲型II型IIA / GASB超晶格的原子平滑界面
机译:使用MBE在GaAs衬底上在GaAs基板上生长的变质喘气缓冲器上的II型II型/ GASB超晶格的原子平滑界面
机译:MBE使用应变松弛缓冲液在InP上通过MBE生长的波长<2 / spl mu / m的光源
机译:多个时段应变补偿Si / Si_(0.2)Ge_(0.8)量子阱和通过MBE种植的级联结构在弛豫Si_(0.5)Ge_(0.5)缓冲层上
机译:用于红外检测的III-V族化合物半导体应变层超晶格的原子结构和缺陷
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:原子层分子束外延生长的交替应变(GaAs)n(GaP)m(GaAs)n(InP)m超晶格的高分辨率电子显微镜和X射线衍射表征。
机译:mBE生长的III-V应变松弛缓冲层和超晶格,其特征在于原子力显微镜