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【2h】

Combined MOS–IGBT–SCR Structure for a Compact High-Robustness ESD Power Clamp in Smart Power SOI Technology

机译：组合MOS-IGBT-SCR结构，适用于智能电力SOI技术的紧凑高稳健性ESD电源钳

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机译：国际观众

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作者
Houssam Arbess; Marise Bafleur; David Tremouilles; Moustafa Zerarka;
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年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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