机译:低带隙非晶(Si,Ge)合金材料和器件的生长和性能
机译:浅氢掺杂剂和材料纯度对垂直电力电子器件的超宽带隙半导体的重要性
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:量子棒和基于点的结构和装置:太阳能氢气和太阳能电池应用的低成本水性合成和带隙工程
机译:磁性铁氧体与宽带隙半导体6H-碳化硅的分子束外延集成,用于下一代微波和自旋电子器件
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:CmOs带隙参考电路,用于低于1V的操作,无需使用额外的低阈值电压器件