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机译:衬底偏置对闪存EEPROM循环性能下降的影响
MAHAPATRA S; SHUKURI S; BUDE JD;
机译:利用衬底偏置增强的热电子注入的过擦除闪存EEPROM的收敛方案
机译:源结对分裂门闪存性能和循环退化的影响
机译:衬底偏压对分裂栅源极侧注入闪存的性能和可靠性的影响
机译:衬底偏置对闪存EEPROM循环引起的性能下降的影响
机译:研究EEPROM和FLASH EEPROM测试结构中隧穿氧化物薄膜的退化。
机译:闪光诱导的光系统II前进过程中的不等失:S状态和受体侧循环的影响
机译:化学合成的单层MoS2 ᅠ场效应晶体管中生长衬底引起的性能下降
机译:消除5伏闪存EEPROM隧道氧化中循环感应电子陷阱的方法
机译:一种消除闪光eeproms的隧道氧化物电极感应到的捕获周期的方法,仅需5-v电压
机译:消除5伏闪存EEPROM隧道氧化中循环诱捕电子的方法
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