机译:升华法生长6H-SiC单晶中低角度晶界的演化和结构
机译:通过升华晶棒生长技术在(1120)6H-SiC衬底上生长的6H-SiC单晶中的空心缺陷的减少
机译:氢浓度对升华法生长高纯度4H-SiC单晶生长的影响
机译:升华法生长6H和4H SiC晶体中生长诱导缺陷的微观拉曼研究
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:用WIas-HiTNIHs对siC单晶升华过程中温度场的数值模拟
机译:生长温度与升华法生长siC晶体结构的关系