机译:装置配置和患者体组成对1.5T和3T的MRI中射频加热和深脑刺激植入物的射击术
机译:3T MRI期间的深部大脑刺激铅接触加热:单通道双通道脉冲发生器配置
机译:利用快速自旋回波MRI减少难治性帕金森氏病深部脑刺激患者的图像伪像并改善植入物/组织界面检测
机译:1.5T与3T MRI靶向丘脑下核进行深部脑刺激
机译:设备配置和患者的身体成分显着影响MRI期间深部脑刺激植入物的RF加热:1.5T和3T的实验研究
机译:多模式多回波MRI用于深部脑刺激物植入
机译:植入式深部脑刺激装置患者使用MRI的安全性
机译:植入式深部脑刺激装置患者体内传播mRI的安全性。