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【2h】

Formation and preferential orientation of Au-free Al/Ti-based ohmic contacts on different hexagonal nitride-based heterostructures

机译：不同六边形氮化物类异质结构上的无芳基Al / Ti的欧姆触点的形成和优先取向

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F. Geenen; A. Constant; E. Solano; D. Deduytsche; C. Mocuta; P. Coppens; C. Detavernier;
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年度 2020
总页数
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1. Formation and preferential orientation of Au-free Al/Ti-based ohmic contacts on different hexagonal nitride-based heterostructures [J] . F. Geenen, A. Constant, E. Solano, Journal of Applied Physics . 2020,第21期

机译：不同六边形氮化物类异质结构上的无芳基Al / Ti的欧姆触点的形成和优先取向
2. Impact of Ti/Al atomic ratio on the formation mechanism of non-recessed Au-free Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures [J] . A. Constant, J. Baele, P. Coppens, Journal of Applied Physics . 2016,第10期

机译：Ti / Al原子比对AlGaN / GaN异质结构上非凹陷无金欧姆接触形成机理的影响
3. Mechanism of Ti/Al/Ti/W Au-free ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures via pre-ohmic recess etching and low temperature annealing [J] . Jinhan Zhang, Sen Huang, Qilong Bao, Applied Physics Letters . 2015,第26期

机译：Ti / Al / Ti / W无金欧姆接触通过预欧姆凹槽蚀刻和低温退火与AlGaN / GaN异质结构的机理
4. Recessing Process for Au-free Ohmic Contacts Formation on AlGaN/GaN Heterostructures with AlN Spacer [C] . Aurore Constant, Joris Baele, Peter Coppens, International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology . 2017

机译：在AlGaN / GaN异质结构上形成无AU的欧姆触点的凹陷过程
5. Foundations of ohmic contact formation on aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures [D] . Mohammed, Fitih Mustefa 2007

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6. Formation of perfect ohmic contact at indium tin oxide/NN′-di(naphthalene-1-yl)-NN′-diphenyl-benzidine interface using ReO3 [O] . Seung-Jun Yoo, Jung-Hung Chang, Jeong-Hwan Lee, -1

机译：使用ReO3在铟锡氧化物/ NN-二（萘-1-基）-NN-二苯基-联苯胺界面上形成完美的欧姆接触
7. Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor [O] . Rogachev I.A., Knyazkov A.V., Meshkov O.I., 2016

机译：AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管外延异质结构上欧姆接触和栅极的形成特征。

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