机译:带有$$ hbox {hfo} _ {2} _ {2} $$ HFO 2界面层由原子层沉积形成的AU / TI / N-GaAs设备中的屏障高度修改
机译:AU / Ti / N-GaAs装置中的屏障高度修改具有由原子层沉积形成的HFO2界面层的HFO2界面层
机译:通过原子层沉积形成具有HfO $ _2 $界面层的Au / Ti / n-GaAs器件中的势垒高度修改
机译:原子层沉积的HFO_2薄膜界面层对Au / Ti / n-ga-gaAs肖特基二极管电特性的影响
机译:调整从等离子体增强的原子层沉积获得的Pt / HFO_2 / TI / PT RERAM器件的性能,用于HFO_2薄膜
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:原子层沉积HFO2薄膜界面层对Au / Ti / N-Ga-GaAs Schottky二极管电性能的影响