首页> 外文OA文献 >Publisher Correction: Memory devices and applications for in-memory computing

【2h】

Publisher Correction: Memory devices and applications for in-memory computing

机译：出版商更正：内存设备和用于内存计算的应用程序

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Abu Sebastian; Manuel Le Gallo; Riduan Khaddam-Aljameh; Evangelos Eleftheriou;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Memory devices and applications for in-memory computing [J] . Nature nanotechnology . 2020,第7期

机译：存储器设备和用于内存计算的应用程序
2. Memory devices and applications for in-memory computing (vol 15, pg 529, 2020) [J] . Sebastian Abu, Le Gallo Manuel, Khaddam-Aljameh Riduan, Nature nanotechnology . 2020,第9期

机译：存储器设备和用于内存计算的应用程序（Vol 15，PG 529,2020）
3. Physics-based modeling approaches of resistive switching devices for memory and in-memory computing applications [J] . Ielmini D., Milo V. Journal of Computational Electronics . 2017,第4期

机译：用于存储器和内存计算应用的电阻式开关设备的基于物理的建模方法
4. Logic Circuit and Memory Design for In-Memory Computing Applications using Bipolar RRAMs [C] . Zongxian Yang, Lan Wei IEEE International Symposium on Circuits and Systems . 2019

机译：使用双极性RRAM进行内存中计算应用的逻辑电路和存储器设计
5. In-Memory Computing by Using Nano-ionic Memristive Devices [D] . Amirsoleimani, Amirali. 2017

机译：使用纳米离子忆阻器件进行内存中计算
6. Efficient Acceleration of Stencil Applications through In-Memory Computing [O] . Hasan Erdem Yantır, Ahmed M. Eltawil, Khaled N. Salama 2020

机译：通过内存中计算有效加速模板应用
7. Physics-based modeling approaches of resistive switching devices for memory and in-memory computing applications [O] . D. Ielmini, V. Milo 2017

机译：基于物理的存储器和内存计算应用的电阻交换装置的建模方法
8. Computing Science. A Non-Blocking Atomic-Multicast Service for Scalable In-Memory Transaction Systems. [R] . Emerson, R., Ezhilchelvan, P. 2014

机译：计算科学。用于可扩展的内存中事务系统的非阻塞原子多播服务。

Publisher Correction: Memory devices and applications for in-memory computing

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅