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【2h】

Enhanced resistive switching memory characteristics and mechanism using a Ti nanolayer at the W/TaOx interface

机译：在W / Taox接口处使用Ti Nanolayer的电阻切换存储器特性和机构增强

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Amit Prakash; Siddheswar Maikap; Hsien-Chin Chiu; Ta-Chang Tien; Chao-Sung Lai;
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年度 2013
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