机译:使用α-Fe2O3缓冲层对LiNBO3和LiTaO3底物上的α-和κ-Ga2O3外延生长的相位控制
机译:在具有外延SrB6缓冲层的超光滑蓝宝石衬底上外延生长LaB6薄膜
机译:使用外延γ-Al_2O_3(001)缓冲层在Si衬底上外延生长Pt(001)薄膜
机译:MOD法在YSZ单晶和织构Ni5W衬底上外延生长CeO_2缓冲层。
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:Fe-Al-C碳化物相纳米层研究作为外延金刚石生长的基质
机译:使用Se掺杂的GaAs缓冲层和光栅图案基板对INP高质量GaAs的液相外延生长
机译:用于YBCO涂层导体的双轴织构金属基板上的溶液基缓冲层的外延生长