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【2h】

Characterization of 157 nm photoresist materials for advanced lithographic processess

机译：用于先进光刻工艺的157nm光致抗蚀剂材料的表征

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Nasim Gholizadeh;
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1. Researching photoresist materials for F_2 (157nm) and EUV (13nm) [J] . Nobuyuki N. Matsuzawa, Shinji Okazaki, Akihiko Ishitani Microlithography world . 2000,第4期

机译：研究用于F_2（157nm）和EUV（13nm）的光刻胶材料
2. A New Photoresist Materials for 157nm Lithography-3: Poly[2-hydroxy-3-pinanyl vinyl sulfonate-co-4-(1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-hydroxypropyl)styrene] [J] . H. Iimori, S. Ando, Y. Shibasaki, Journal of Photopolymer Science and Technology . 2003,第4期

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3. DFT Calculations of Photoabsorption Spectra in the UV Region for Design of Photoresist Materials for 157 nm Lithography [J] . Shinji Ando, Tsuyohiko Fujigaya, Mitsuru Ueda Journal of Photopolymer Science and Technology . 2002,第4期

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4. New materials for 157 nm photoresists: characterization and properties [C] . Michael K.Crawford, Anderew E.Feiring, Jerald Feldman, Conference on advances in resist technology and processing . 2000

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5. Characterization of 157 nm photoresist materials for advanced lithographic processes. [D] . Gholizadeh, Nasim. 2006

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7. New Materials for 157 nm Photoresists: Characterization and Properties [O] . Michael K. Crawford, Roger H. French, Mookkan Periyasamy, 2000

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8. Advanced Test System for the Characterization of Aerospace Materials in SevereService Environments [R] . Schehl, N. D. 1997

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