机译:通过氢化物气相外延在氨热法合成的GaN籽晶上生长的具有低点缺陷浓度的低电阻率m面独立式GaN衬底
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在独立式GaN上通过金属有机化学气相沉积法生长的n-GaN的深层缺陷
机译:正电子寿命和重合多普彼得科观察到的掺杂PB(Zr {Sub} 60Ti {Sub} 40)O {Sub} 3中的空位样缺陷
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:独立式GaN中缺陷过渡的瞬态光致发光
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管