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【2h】

Convergence Properties of the Bi-CGSTAB Method for the Solution of the 3D Poisson and 3D Electron Current Continuity Equations for Scaled Si MOSFETs

机译：用于缩放SI MOSFET的3D泊松和3D电子连续方程的方法的BI-CGSTAB方法的收敛性能

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D. Vasileska; W. J. Gross; V. Kafedziski; D. K. Ferry;
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年度 1998
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1. Convergence Properties of the Bi-CGSTAB Method for theSolution of the 3D Poisson and 3D Electron CurrentContinuity Equations for Scaled Si MOSFETs [J] . D.Vasileska, W. J.Gross, V.Kafedziski, VLSI Design . 1998,第1a4期

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