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机译:完全耗尽,背部照明电荷耦合器件,在高电阻率硅上制造
S.E. Holland; D.E. Groom; N.P. Palaio; R.J. Stover;
机译:由高电阻率硅制成的全耗尽,背照式电荷耦合器件
机译:用于12.3兆像素,完全耗尽,背照式,高压兼容电荷耦合器件的器件设计
机译:完全耗尽的背照明电荷耦合器件的软X射线响应
机译:用于高电阻率硅上的P沟道电荷耦合器件的低噪声输出放大器的设计
机译:使用完全耗尽的绝缘体上硅器件进行放射治疗的无源无线放射剂量计。
机译:硅电荷耦合器件上太赫兹辐射的高性能非线性可视化
机译:高电阻率硅制造的P沟道电荷耦合器件低噪声输出放大器的设计
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译:具有高电阻栅电极的电荷耦合掩埋沟道器件
机译:具有低电阻率透明窗口层的背照式全耗尽电荷耦合器件
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