机译:反应烧结碳化硅和单晶4H碳化硅阳极氧化抛光表面性能的比较分析
机译:不同生长速率下沉积的4H碳化硅同质外延层的晶体学缺陷和表面粗糙度的形貌和反射法研究
机译:通过扫描探针显微镜对微晶硅的成核和生长分析:衬底依赖性,生长表面的局部结构和电子特性
机译:碳化硅表面上的氧化物薄膜生长
机译:高纯铝,铝硅合金和铝硅/碳化硅复合材料在M2钢上滑动的磨损表面和磨损碎屑的磨损行为和微观结构表征。
机译:形状选择的纳米晶体用于在受控的电解质传输下对结构良好定义的表面进行原位光谱电化学研究:在Pt上进行CO电氧化的原位ATR-FTIR /在线DEMS组合研究
机译:反应烧结碳化硅和单晶4H碳化硅阳极氧化抛光表面性能的比较分析
机译:碳化硅的表面科学研究:氧化,晶体生长和表面结构分析。