机译:俘获中心对AlGaN / GaN共振隧穿二极管的影响
机译:勘误表:陷阱中心对AlGaN / GaN共振隧穿二极管的影响[IEICE Electronics Express Vol。 10(2013)19号第20130588页]
机译:双阱双势垒GaN / AlGaN / GaN / AlGaN共振隧穿二极管的建模和优化
机译:电容和电导色散表征门后退火对AlGaN / GaN肖特基二极管中陷阱的影响
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:基于AlGaN:C背势垒的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管随偏压变化的动态RON的缓冲阱的识别
机译:可调谐高效谐振隧穿GaN / alGaN mQW紫外探测器