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【2h】

Low resistance Ohmic contact to p-type crystalline silicon via nitrogen-doped copper oxide films

机译：通过氮掺杂氧化铜膜对P型晶体硅接触低电阻欧姆接触

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Xinyu Zhang; Yimao Wan; James Bullock; Thomas Allen; Andres Cuevas;
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年度 2016
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1. Low resistance Ohmic contact to p-type crystalline silicon via nitrogen-doped copper oxide films [J] . Xinyu Zhang, Yimao Wan, James Bullock, Applied Physics Letters . 2016,第5期

机译：通过氮掺杂氧化铜膜与p型晶体硅的低电阻欧姆接触
2. Comment on "Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films" [J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999)] [J] . Yu LS, Qiao D Journal of Applied Physics . 2004,第8期

机译：评述“通过Ni / Au膜的氧化实现与p型GaN的低电阻欧姆接触” [J.应用物理86，4491（1999）]
3. Low-resistance and highly transparent Ni/indium-tin oxide ohmic contacts to phosphorous-doped p-type ZnO [J] . Soon-Hyung Kang, Dae-Kue Hwang, Seong-Ju Park Applied Physics Letters . 2005,第21期

机译：与磷掺杂的p型ZnO的低电阻和高度透明的Ni /铟锡氧化物欧姆接触
4. Low-resistance earth-abundant metal contacts to nitrogen-doped cuprous oxide thin films [C] . Siah Sin Cheng 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. . 2012

机译：低电阻的富含地球的金属与氮掺杂的氧化亚铜薄膜接触
5. Development of low temperature oxidation for crystalline silicon thin film transistor applications [D] . Rettmann, Ryan D. 2011

机译：低温氧化技术在晶体硅薄膜晶体管应用中的发展
6. Bendable Single Crystal Silicon Nanomembrane Thin Film Transistors with Improved Low-Temperature Processed Metal-Si Ohmic Contact by Inserting TiO2 Interlayer [O] . Jiaqi Zhang, Yi Zhang, Dazheng Chen, 2018

机译：通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
7. 23 efficient p-type crystalline silicon solar cells with hole-selective passivating contacts based on physical vapor deposition of doped silicon films [O] . Di Yan, Andres Cuevas, Sieu Pheng Phang, 2018

机译：具有掺杂硅膜的物理气相沉积的具有孔选择性钝化触点的23％高效的P型晶体硅太阳能电池

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