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【2h】

Voltage Degradation Model of Thin Film Capacitors

机译:薄膜电容器的电压劣化模型

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摘要

A degradation model of thin film capacitors is presented. This model takes into consideration that:(a) the damage rate dD/dt is a function of the damage value D, and (b) the critical damage Dc is afunction of working voltage. On the base of this model, the short term breakdown voltage and itsdistribution is defined. The experimental data presented conforms with the described model.
机译:提出了一种薄膜电容的降解模型。该模型考虑到:(a)损伤率Dd / dt是损伤值d的函数,(b)临界损坏DC是工作电压的一部分。在该模型的基础上,定义了短期击穿电压和其分布。呈现的实验数据与所描述的模型符合。

著录项

  • 作者

    T. M. Berlicki;

  • 作者单位
  • 年度 1985
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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