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Erratum to : Studies of Au-GaAs (001) Interfaces Prepared by Molecular Beam Epitaxy

机译：错误：分子束外延准备的Au-GaAs（001）界面的研究

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1. Studies of Au‐GaAs (001) interfaces prepared by molecular beam epitaxy. II. Thermal stability of Au‐GaAs (001) interface [J] . Journal of Applied Physics . 1985,第10期

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2. Studies of Au‐GaAs (001) interfaces prepared by molecular beam epitaxy. I. Overlayer growth and Schottky barrier formation [J] . Journal of Applied Physics . 1985,第10期

机译：通过分子束外延制备Au-GaAs（001）界面的研究。 I.层生长和肖特基势垒形成
3. Interface characterization of AlN/TiN/MgO(001) prepared by molecular beam epitaxy [J] . X. L. Ma, N. Shibata Journal of Materials Research . 1999,第4期

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4. Comparison of the optical properties of Er{sup}(3+) doped gallium nitride prepared by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) and solid source molecular beam epitaxy (SSMBE) [C] . U. Hommerich, J. T. Seo, J. D. MacKenzie, Symposium on GaN and related alloys . 2000

机译：通过金属组分子束外延（MOMBE）和固体源分子束外延（SSMBE）制备的ER {sup}（3+）掺杂氮化镓光学性质的比较（SSMBE）
5. Carbon incorporation pathways and lattice site distributions in silicon carbide/silicon(001) and germanium carbide/germanium(001) alloys grown by molecular beam epitaxy. [D] . Park, Se-Yang. 2001

机译：通过分子束外延生长的碳化硅/硅（001）和碳化锗/锗（001）合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
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