机译:氢等离子体诱导的μm厚的A-Si:H薄膜的快速,低温结晶
机译:快速气相沉积和原位熔体结晶,可制造1分钟的10微米厚的横向晶粒尺寸超过100微米的结晶硅膜
机译:使用快速能量转移退火使具有各种硅氢键构型的a-Si:H薄膜快速结晶
机译:通过微波退火诱导低温Ni乙酸盐诱导A-Si薄膜的结晶
机译:适用于大面积电子设备的低温硅薄膜:使用软光刻和通过顺序横向固化进行激光结晶的器件制造。
机译:氢等离子体诱导的μm厚a-Si:H薄膜的快速低温结晶
机译:快速气相沉积和原位熔融结晶为1分钟的制造10μm厚的晶体膜,横向晶粒尺寸超过100μm